質(zhì)譜測定中的記憶效應(yīng)表現(xiàn)為一次涂樣測定的結(jié)果受到殘存在離子源內(nèi)測定過的同種樣品的影響，當(dāng)前后樣品的待測同位素豐度相差越大時，記憶效應(yīng)帶來的影響也越大。在熱電離質(zhì)譜測定中，記憶效應(yīng)主要由石墨烯表面吸附和樣品沉積兩種因素引起。有些活性強的化合物的蒸氣與離子源內(nèi)表面接觸時會被吸附，吸附量的多少除了與化合物的性質(zhì)有關(guān)外，還與離子源內(nèi)表面的材料及光潔度有關(guān)。
當(dāng)長期工作以后，樣品蒸氣在離子源內(nèi)表面的沉積會越來越多，特別是在源的出口縫及離子光學(xué)透鏡的狹縫處，如果在高溫下工作，沉積在離子源內(nèi)表面的樣品會受熱再次蒸發(fā)而被電離，影響測定結(jié)果的準(zhǔn)確性。另外一種情況，雖然測定的元素與離子源已沉積的元素不一樣，但它們是同質(zhì)異位素，這樣離子源內(nèi)表面的沉積也會對測定結(jié)果帶來影響。記憶效應(yīng)的強弱與所采用的樣品化合物的形式有關(guān)，如進(jìn)行鋰同位素測定時，采用不同鋰化合物凃樣，定量測定的記憶的鋰量相差很大，其中以LiF的記憶效應(yīng)最強。
