遠程外延（RE），襯底極性可以“穿透”二維材料（2DMs）并作用于外延層，顯示出一種具有前瞻性的普遍增長策略。然而，從本質上講，到目前為止，2DM在RE中的作用尚未得到深入研究。在這里，實現了單晶薄膜在最弱的極性/偶像性襯底上的RE，以揭示其本質物理性質。石墨烯促進從基板到外延層的衰減電荷轉移（ACT），以構建遠程相互作用。界面原子通過石墨烯組裝成“不相稱”的外延關系，以減少外延層中的失配位錯。此外，石墨烯降低了原子遷移屏障，導致“逐層”生長模式的趨勢。這種薄膜生長模式不同于傳統的外延（CE），有利于外延層的快速生長和聚結邊界位錯的減少。石墨烯作用的深刻揭示揭示了RE的界面物理特性，并為使用2DM擴展三維材料（3DM）以應用于器件提供了更有價值的指導。
圖1.外延結構的方向和極性。（a） AlN/SLG/SiC的高分辨率X射線衍射儀（HRXRD）（102）φ掃描，顯示AlN和SiC之間的外延取向關系。（b） AlN/SLG/SiC的橫截面掃描透射電子顯微鏡（STEM）圖像。橙色框架中的插圖是來自 （b） 上部的 HR 高角度環形暗場 （HAADF）-STEM 圖像，與 Al 極性 AlN 模型疊加，紅色和藍色球體分別表示 Al 和 N 原子，尺度為 1 nm。黑色虛線框中的插圖分別是AlN和AlN/SiC界面的選定面積電子衍射（SAED）圖，紅色和黃色箭頭分別對應于AlN和SiC。（c） 界面的HR HAADF-STEM圖像與Al，N，C和Si原子的能量色散光譜（EDS）信號疊加。（d） 沿（c）中的垂直白色虛線對Al、N、C和Si的特征X射線信號進行綜合線掃描。（e和f）AlN/SLG/SiC 界面 （e） 及其逆快速傅里葉變換 （FFT） 晶格條紋 （f） 處的 HR HAADF-STEM 圖像。（e） 中黃色框中的插圖是 FFT 圖案。
圖2.AlN/SLG/SiC的界面原子結構和DFT計算.（a） AlN/SLG/SiC界面的HR HAADF-STEM圖像。（b） （a）中綠框的放大圖像。（c） 通過HR HAADF-STEM分析測量的AlN和SLG異質界面間隙的直方圖。（d） 結合能曲線繪制為AlN/SiC（黑線）、AlN/SLG/SiC（紅線）和AlN/MLG（藍線）異界面間隙的函數。（e）不同石墨烯層覆蓋的SiC襯底上的結合能比較。
圖3.AlN/SLG/SiC的界面電子性能.（a） SLG/SiC、N/SLG/Sic、n/blg/SiC 和 N/石墨烯系統的 Bader 電荷轉移分析。插圖顯示了每個系統的原子結構示意圖。（b） AlN/SLG/SiC、AlN/BLG/SiC 和 AlN/石墨烯系統的 Bader 電荷轉移分析。（c） 面內取向的AlN/SLG/SiC的橫截面原子結構和電荷密度差（CDD）[11-20]氮化 鋁||[1–100]SLG||[11–20]原文如此.CDD在±0.003 e/Å
3的等值面水平下描述。
圖4。AlN薄膜生長模式分析。（a–c）AlN/SLG/SiC界面圖像（c）的橫截面TEM圖像（a）、HAADF-STEM圖像（b）和平面圖BF-STEM。（d–f）AlN/SiC界面圖像（f）的橫截面TEM圖像（d）、HAADF-STEM圖像（e）和平面圖BF-STEM。（f）中的實心白框中的插圖是放大圖像。（g） 計算的遷移障礙。黑色、紅色和藍色虛線框中的插圖分別是SiC、SLG/SiC和SLG上Al原子遷移的示意圖。（h和i）AlN/MLG/SiC的界面圖像（i）的橫截面TEM圖像（h）和平面圖BF-STEM。（b和e）中的實心箭頭和（c和f）中的紅色圓圈表示空隙的位置。（c、f和i）中的插圖是對應的SAED圖案。
圖5。RE-AlN薄膜中的位錯觀察。（a–c）g=0002（a）和g=11–20（b）AlN/SiC的截面BF-STEM圖像和平面圖BF TEM圖像（c）。“m”表示混合型位錯。（d） AlN/SLG/SiC界面的橫截面HAADF-STEM圖像。（d）的橙色框中的HR HAADF-STEM和HR DF2-STEM圖像顯示，石墨烯中的缺陷可導致RE-AlN膜中的位錯。
相關研究成果由中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所Yu Xu、Ke Xu和蘇州大學Bing Cao等人2023年發表在ACS Nano (https://doi.org/10.1021/acsnano.3c00026)上。原文：Modulation of Remote Epitaxial Heterointerface by Graphene-Assisted Attenuative Charge Transfer。
轉自《石墨烯研究》公眾號
