這里，提出了一種新的策略來增強單壁碳納米管（SWCNT）薄膜的光電性能，從而用于透明電極當(dāng)中。首先，從理論上考慮了導(dǎo)電模式幾何形狀對膠片品質(zhì)因數(shù)的影響，然后進行實驗檢驗了所計算的結(jié)構(gòu)。研究結(jié)果表明，結(jié)合薄膜的初始特性（低透射率，高導(dǎo)電率），圖案化的SWCNT薄膜可實現(xiàn)最佳特性。所提出的策略使得SWCNT圖案化層要優(yōu)于目前廣泛使用的氧化銦錫電極（柔性和剛性基底上均可）。
Figure 1.（a-d）圖案化SWCNT網(wǎng)格在f = 0.1、0.4、0.8和1時的示意圖。（e）圖案化和連續(xù)SWCNT層的透光率與薄層電阻的函數(shù)關(guān)系。
Figure 2. 圖案化（虛線）和連續(xù)（實線）SWCNT薄膜的薄層電阻對圖案化之前SWCNT層透光率的依賴性。
Figure 3. 圖案化薄膜制造的每個步驟之后的SWCNT薄膜的室溫拉曼光譜（λ= 784.5 nm），全部光譜歸一化為G波段強度。
Figure 4. 圖案化和連續(xù)的SWCNT膜的光學(xué)透射光譜。插圖展示了圖案化SWCNT膜在石英基板上的光學(xué)顯微鏡圖像，基板厚度90 nm，線寬為8μm，單元周期為240μm，填充系數(shù)0.06。
Figure 5.（a）帶有Cr/Au觸點的SWCNT條紋（藍色）的光學(xué)顯微鏡圖像。（b）條紋電阻乘以寬度與條紋長度的函數(shù)關(guān)系。（c）條紋電阻除以長度與條紋寬度的函數(shù)關(guān)系。
該研究工作由俄羅斯彼得堡理工大學(xué)Dmitry Mitin課題組于2020年發(fā)表在ACS Appl. Mater. Interfaces期刊上。原文：Optimization of Optoelectronic Properties of Patterned SingleWalled Carbon Nanotube Films。
轉(zhuǎn)自《石墨烯雜志》公眾號
.jpg)
