在變形蜂窩狀網(wǎng)格中，通過(guò)使用排列的耦合微波諧振器陣列，我們實(shí)驗(yàn)觀察到了整個(gè)分頻過(guò)程中偽朗道能級(jí)從消失到大偽磁場(chǎng)強(qiáng)度的形成。通過(guò)利用所有場(chǎng)強(qiáng)中，與偽朗道水平兼容的幾何形狀中的自適應(yīng)設(shè)置，可以實(shí)現(xiàn)此結(jié)果。所采用的方法使我們能夠在光譜上觀察到完整形成的“平帶”偽朗道能級(jí)，成為狀態(tài)光子密度中的尖峰，并在空間上對(duì)相關(guān)的波函數(shù)進(jìn)行成像，在此我們?yōu)樘卣餍越Y(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)提供了清晰的證據(jù)，反映了基礎(chǔ)低能理論中以前難以捉摸的超對(duì)稱性。特別地，我們解決了異常第0個(gè)偽朗道層的全子晶格極化，這揭示了在無(wú)應(yīng)變情況下與之字形邊緣狀態(tài)的深層聯(lián)系。
Fig. 1 實(shí)驗(yàn)裝置。
Fig. 2 朗道級(jí)的形成。
Fig. 3 超對(duì)稱節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)。
相關(guān)研究成果于2020年由法國(guó)尼斯物理研究所Fabrice Mortessagne課題組，發(fā)表在Light: Science & Applications (https://doi.org/10.1038/s41377-020-00351-2)上。原文：Observation of supersymmetric pseudo-Landau levels in strained microwave graphene。
摘自《石墨烯雜志》公眾號(hào)：
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