我們通過使用時間和角度分辨光發(fā)射光譜(tr-ARPES)，來研究由單層WS
2和石墨烯構成的外延異質結構中的超快電荷轉移。這種異質結構結合了以下優(yōu)勢：直隙半導體的強自旋軌道耦合，以及高遷移率和長自旋轉壽命的無質量半金屬載體的強光-物質相互作用。我們發(fā)現(xiàn)，在對WS
2中的A激子進行共振光激發(fā)后，光激發(fā)的空穴迅速轉移到石墨烯層中，而光激發(fā)的電子保留在WS2層中。由此產生的電荷分離瞬態(tài)生存期約為1 ps。根據(jù)高分辨率ARPES，我們將該發(fā)現(xiàn)歸因于是WS
2和石墨烯帶的相對排列散射相空間差異所導致。結合自旋選擇性光學激發(fā)，研究的WS
2/石墨烯異質結構可能為高效光學自旋注入石墨烯提供一個平臺。
Fig. 1. WS
2/石墨烯異質結構的平衡帶結構和光載流子動力學。
Fig. 2. 光激發(fā)后的瞬時帶移。
Fig. 3. 能量和動量分辨的載流子動力學。
Fig. 4. 石墨烯層的瞬態(tài)空穴密度。
Fig. 5. 從tr-ARPES數(shù)據(jù)推導出超快電荷的轉移示意圖。
相關研究成果于2020年由馬克斯·普朗克物質結構和動力學研究所Isabella Gierz課題組，發(fā)表在Science Advances(DOI: 10.1126/sciadv.aay0761)上。原文：Direct evidence for efficient ultrafast charge separation in epitaxial WS
2/graphene heterostructures。
摘自《石墨烯雜志》公眾號：
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