RGO-ClAlPc納米復(fù)合材料，是通過在氯鋁酞菁（ClAlPc）和十二烷基硫酸鈉（SDS）存在下，使用水合肼，通過化學(xué)還原氧化石墨烯來合成的。在這項研究中，F(xiàn)TIR和UV-Vis光譜的結(jié)果表明，ClAlPc分子通過π-π相互作用附著在RGO板上。在溫度范圍[298 K–393 K]下，研究了RGO-ClAlPc納米復(fù)合材料的電性能。然后，由RGO-ClAlPc納米復(fù)合材料制成了數(shù)個具有30 nm厚和200 μm電極間距的叉指式平面器件。在恒定2 V下，電流與溫度的變化表明，RGO-ClAlPc納米復(fù)合材料的帶隙隨納米復(fù)合材料中GO還原速率的變化而變化。
Figure 1. 硅基板上的叉指電極。
Figure 2. （a,b）GO和（c,d）RGO-ClAlPc的SEM圖像。
Figure 3. GO和RGO的I–V表征。
Figure 4. 對于黑暗條件下，在歐姆區(qū)域和2 V恒定電壓下，高真空下加熱RGO-ClAlPc納米復(fù)合材料，I-T特性和電流隨溫度的變化進行了描述。
Figure 5. （a）在室溫下，比較RGO-ClAlPc納米復(fù)合材料、ClAlPc和GO的I–V特性。（b）在不同溫度下，器件的I–V特性。
Figure 6. 在2 V恒定電壓下，電流隨溫度變化的曲線：（a）RGO，（b）ClAlPc，（c）RGO-ClAlPc。（d）比較RGO、ClAlPc和RGO-ClAlPc的活化能。
相關(guān)研究成果于2019年由Kharazmi University的Mohammad Esmaeil Azim Araghi課題組，發(fā)表在Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures（https://doi.org/10.1016/j.physe.2019.113636）上。原文：Tuning the band gap of the graphene oxide-chloro aluminum phthalocyanine nanocomposite by reducing the rate of graphene oxide。
